谈判行动时，您可以查看Jin Qilin分析师的研究报告。这是授权，专业，及时和包容的，可帮助他利用潜在的主题机会。 华尔街新闻 摩根大通（JPMorgan）认为，这是由于对IA的高性能记忆的巨大需求所推动的。 “记忆的饥饿”趋势使整个行业陷入了结构增长阶段，从2024年到2027年，这导致了“前所未有的四年定价周期”。 由AI的无限需求驱动的全球记忆芯片市场现已处于前所未有的“饥饿游戏”中。 摩根大通分析师Jay Kwon和Sangsik Lee在最近的一份报告中说，据云服务提供商指导的“对记忆的饥饿”趋势正在将整个行业推向结构增长阶段。 该报告说，此周期的中心驱动力来自AI计算机科学对高性能记忆的高需求，影响Of这正在从高端的广泛内存（HBM）迅速扩展到Flash DRAM和NAND的传统记忆。市场动态表明，供应商在未来12个月内可能难以满足所有需求，这支持了价格的持续加强。 行业的这种变化不仅限于DRAM市场的价格回收率，但是NAND Flash市场也经历了强劲的篮板。由于严重的硬盘驱动器（HDD），这迫使客户诉诸于业务等级的固态单位（ESD）。 因此，摩根大通（JPMorgan Chase）对全球存储市场规模的预测显着提高了其全球有效的市场规模预后（TAM），从2025年增加到2026年，并将6％至24％提高，到2027年，对市场规模的预测将近3000亿美元。 HBM电缆和鼓指南中的罕见和长周期 该报告表明，DRAM市场将持续到2024年至2027年，“空前的价格为四年”。它清楚地表明，它导致了周期。这个罕见的漫长周期打破了近年来“大与倒闭”行业的规则，其背后是HBM。 该报告预测，到2027年，HBM将占DRAM市场的43％。对HBM的高价值和强劲的需求有效地软化了传统DRAM价格的环状波动，从而增加了整个DRAM市场的背景利润。 该报告认为，即使由于2026年供应量的增加，HBM3E产品的价格也不太可能在2026年的平均销售价格混合HBM（ASP）仍然下跌，因为下一个代价HBM4的溢价率约为35％。 从竞争性的全景角度来看，据信SK Hynix领导HBM4竞赛，并有望在其竞争对手面前获得NVIDIA认证，这有可能赋予其60％以上的市场份额。该报告认为，三星电子和微米可以竞争剩余HBM4订单。 全球存储市场规模可能达到3000亿美元，这一轮记忆芯片是其主要特征之一。除了方法外，HBM的需求正在扩展到更多样化的应用程序，这些应用程序共同加剧了供应紧张局势。 该报告强调，NVIDIA的Vera Socamm2内存模块和Rubin CPX GDDR7的GDDR7视频记忆将是产生鼓需求的新增长点。 AI的推断，AI的服务以及边缘的应用需要一般用途的服务，以更新内存设置，以减少延迟并改善能源消耗性能。 基于此，摩根大通（JPMorgan Chase）对全球存储市场规模的预后大大提高了其预后，从而将全球存储市场的一般有效市场规模预后（TAM）从2025年增加到2026年，增加了6％至24％，预测市场规模在2027年达到3000亿美元。 到2027年，只有与AI相关的应用报告中包括ations。预计TAM的53％代表DRAM市场。为了打击需求的增加，预计记忆芯片制造商将在2026年至2027年之间将资本支出（CAPEX）提高7％至12％，而DRAM容量的提高了优先级。 NAND市场回收率很强，ESD是关键的增长点 经过两年的投资，记忆市场NAND FLASH导致了稳定的价格恢复。 该报告分析了这一变化主要是由于对固体企业学位单位（ESSD）的需求增加。一个重要的外部因素是缺乏传统硬盘驱动器（HDD）。媒体报告显示，一些短距离HDD的交付周期约为52周。这导致了最初由HDD主导的近距离存储市场，将ESSD用作大规模替代品。 同时，随着AI模型从培训到推理应用程序，它们会提高数据阅读速度和延迟需求，NAND的结构重要性变得越来越突出。 摩根大通（JPMORGAN CHASE）预计，随着nand的价格在2026财政年度的平均销售价格上涨7％，年龄增长7％ - 年龄。 官方NINA Finance帐户 24-最新信息和财务视频的流离失所，以及扫描QR码以关注更多粉丝（Sinafinance）